2662d545

«Самсунг» и SK Hynix повышают инвестиции в изготовление 3D NAND на 27%

Начало возведения в КНР больших производственных кластеров для производства памяти 3D NAND и DRAM пока можно оценивать как иллюзорную опасность интернациональному рынку памяти. Настоящей она будет не ранее, чем через пять-семь лет. До этого за рынок памяти будут сражаться работающие руководители — компании «Самсунг» Электроникс, SK Hynix и Micron. Обе южнокорейские компании, как рассказывает корейское издание BusinessKorea ссылаясь на организацию Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI), собираются сделать предсказывающие действия, которые укрепят их позиции на рынке памяти.

По данным источника, в 2017 году инвестиции «Самсунг» Электроникс и SK Hynix в полупроводниковый бизнес составят $14 млн (15,97 трлн вон). Это на 27,3 % больше, чем в 2016 году ($11 млн либо 12,55 трлн вон). Например, «Самсунг» инвестирует в автозаводы $10 млн (11,41 трлн вон) либо на 25 % больше, чем в 2016 г. Организация SK Hynix инвестирует в формирование $6,13 млн (7 трлн вон), из которых лишь на автозаводы пойдёт $4 млн (4,6 трлн вон). Другие ведущие компании полупроводникового раздела, если верить источнику, в 2017 году поочередно уменьшат важные траты на тысячи млн долларов.

Промышленный комплекс SK Hynix М14

Промышленный комплекс SK Hynix М14

Большинство серьезных инвестиций «Самсунг» и SK Hynix придётся на повышение изготовления двухслойной энергонезависимой памяти 3D NAND. Ресурс подчёркивает, что главным вариантом работы обоих организаций на рынке памяти будет оставаться изготовление материнской платы вида DRAM (включая мобильную для компьютеров и другую). Так, пропорция изготовления DRAM/NAND у компании «Самсунг» равна 6/4, но у компании SK Hynix — 7/3. Рассчитанные на 2017 год инвестиции в линии по изготовлению 3D NAND должны поменять эти пропорции в пользу NAND-флеш, что также обозначает расширение недостатка DRAM и последующий рост расценок на материнскую плату.


Промышленный комплекс SK Hynix М14

Компьютерное изображение нового автозавода Toshiba Fab 6 в Йоккаити

Перемены также будут в составе поставок памяти NAND. Пропорция будет сдвигаться в сторону двухслойной памяти 3D NAND, которая приносит больше выручки изготовителям. Например, «Самсунг» в 1-м полугодии собирается приступить к изготовлению 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (64-слойная 256-Гбит 3D NAND TLC пошла в изготовление в 2016 г), но организация SK Hynix начнёт во 2-м квартале выпуск 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC и рассчитывает начать выпуск 72-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC в четвёртом месяце.

Благодаря рассчитанным инвестициям «Самсунг» и SK Hynix в изготовление 3D NAND общемировые инвестиции в изготовление NAND-флеш в 2017 году увеличатся на 14 %: с $14 млн в 2016 г до $16 млн в 2016 году. Этим самым южнокорейским изготовителям в 2017 году будет принадлежать более 70 % рынка DRAM и более 45 % рынка NAND.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий