Новости IT

Компания Toshiba сообщила о доступности примеров собственных микросхем вида BiCS 3D NAND с 64 пластами и ёмкостью 512 Гбит. Данные устройства были спроектированы вместе с Western Диджитал и обе компании собираются начать их платные поставки во 2-й половине 2014 г. Монокристаллические твердотельные накопители (solid-state drives, SSDs) Toshiba в форм-факторе BGA ёмкостью 1 Тбайт будут одними из первых товаров на основе свежих чипов 3D NAND.

Микросхемы NAND флеш-памяти изготовления Toshiba

Свежие устройства флеш-памяти вида BiCS 3D NAND с 64 пластами и ёмкостью 512 Гбит применяют трёхбитовые ячеи (triple level cell, TLC), что логично, в связи с тем что все изготовители энергонезависимой памяти сейчас сконцентрировались на формировании как раз этого вида NAND для выходных в скором времени SSD. Свежие 64-слойные микросхемы памяти были детально изображены Toshiba и Western Диджитал на пресс-конференции ISSCC для создателей раньше в данном месяце, но компании не открыли каких-то технологических отличительных черт данных чипов при всем народе (скорость внешнего вида, число плейнов и т. д.). По всей видимости, создатели это сделают к моменту формального начала поставок.

Промышленный комплекс Toshiba

Стоит сообщить, что сами 64-слойные микросхемы 3D TLC BiCS NAND не считаются прорывом для 2017 года. Western Диджитал поставляет 64-слойные 3D NAND устройства в составе платных механизмов (для различного рода карт памяти и USB-флешек) начиная с декабря либо января минувшего года. Но те микросхемы имеют ёмкость 256 Гбит и широко изготовляются как Toshiba, так и Western Диджитал на вместе применяемой фабрике в Японии. Свежие же микросхемы готовы держать 512 Гбит (64 Гигабайт) данных и считаются одними из наиболее ёмких чипов NAND флеш-памяти на данный момент.

Toshiba и Western Диджитал рассказывают, что многочисленное изготовление 64-слойных механизмов BiCS 3D NAND флеш-памяти ёмкостью 512 Гбит стартует во 2-й половине 2017 года. Обе компании сообщили, что свежие микросхемы будут применены для всевозможных накопителей, и в том числе тех, что реализуются в рознице, применяются в мобильных приборах и используются в районах обработки данных. Последнее показывает на то, что эти устройства будут применяться не только лишь для съёменьших накопителей и телефонов/микропланшетов, но также и для высокопроизводительных SSD общего класса.

SSD в форм-факторе BGA изготовления Toshiba

Одними из первых SSD, которые обретут свежие 64-слойные микросхемы BiCS 3D NAND ёмкостью 512 Гбит, будут монокристаллические накопители Toshiba серии BG, которые будут предлагаться как виде микросхем в форм-факторе BGA, так и в качестве малых модулей М.2. Применение 16 свежих чипов позволит данным SSD повысить собственную ёмкость вплоть до 1 Тбайт. Такие твердотельные накопители используются в разных мобильных и сверхкомпактных ПК, давая возможность им как снизить габариты, так и повысить время действия от одного заряда аккумулятора (из-за того, что ёмкость заключительной можно повысить благодаря освободившемуся месту). Эталоны следующего поколения SSD в форм-факторе BGA будут предлагаться в начале апреля, тогда как их многочисленное изготовление начнётся во 2-й половине 2017 года.